Sifat Fisis Film Tipis TiO2-Co Yang Ditumbuhkan Dengan Teknik MOCVD  

Oleh:

Saragih, Horasdia ; Ridwan ; Mujamilah ; Arifin, Pepen ; Barmawi, Mohamad

Jenis: Article from Journal - ilmiah nasional - tidak terakreditasi DIKTI
Dalam koleksi: Jurnal Sains Materi Indonesia vol. 7 no. 2 (2006), page 61-67.
Topik: FILM TIPIS; TiO2-Co; semi kondukktor feromagnetik; metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Ketersediaan

Perpustakaan Pusat (Semanggi) Nomor Panggil: JJ112.2 Non-tandon: 1 (dapat dipinjam: 0) Tandon: tidak ada

Lihat Detail Induk

Isi artikel

Sifat fisis film tipis TiO2-Co yang ditumbuhkan dengan teknik MOCVD. Film tipis TiO2-Co telah berhasil ditumbuhkan dengan teknik MOCVD dengan menggunakan prekursor titanium (IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] 99,99% dan serbuk tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III) [Co(TMHD)3]99%. Parameter pertumbuhan,seperti:suhu bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 260 Torr, laju aliran gas argon ke bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 100 sccm, laju aliran gas O2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan 2 Torr, ditemukan menjadi parameter penumbuhan yang paling optimal. Struktur kristal film sangat dipengaruhi oleh kehadiran dan konsentrasi atom Co. Kemampuan larut (solubility) atom Co ke dalam matrik kisi TiO2 teramati mulai bersaturasi pada kandungan Co sekitar 12%. Film tipis TiO2-Co menunjukkan sifat feromagnetisme pada suhu ruang. Kehadiran elemen magnetik Co tidak menghilangkan karakteristik semikonduktif TiO2. Namun, resistansi film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co.

Opini Anda

Klik untuk menuliskan opini Anda tentang koleksi ini!

Kembali