Pengukuran Tegangan Ambang Transistor Pada Rangkaian Terintegrasi MOS  

Oleh:

Wijayanti, Linda

Jenis: Article from Journal - ilmiah nasional - tidak terakreditasi DIKTI - atma jaya
Dalam koleksi: Atma nan Jaya vol. 10 no. 2 (Aug. 1997), page 45-58.
Topik: mos; MOS Transistors
Fulltext: Linda Wijayanti.pdf (474.27KB)

Ketersediaan

Perpustakaan Pusat (Semanggi) Nomor Panggil: AA48.7 Non-tandon: 1 (dapat dipinjam: 0) Tandon: tidak ada	Lihat Detail Induk
Perpustakaan PKBB Nomor Panggil: 405/ANJ/1 Non-tandon: tidak ada Tandon: 1	Lihat Detail Induk
Perpustakaan PKPM Nomor Panggil: A66 Non-tandon: 1 (dapat dipinjam: 0) Tandon: tidak ada	Lihat Detail Induk

Isi artikel

Threshold voltage measurement is uder to determine whether we get enhancement or deflection in MOS transistors. In enhancement NMOS the threshold voltage is positive and for depletion NMOS the treshold voltage is negative. Contrary to PMOS the treshold voltage measurement was conducted on the gate oxide layer with a special pattern designed for measurement purposes.

Opini Anda

Klik untuk menuliskan opini Anda tentang koleksi ini!

Kembali