| Untuk pembuatan polysilikon sebagai gate pada transistor, digunakan reaktor Chemical Vapor Deposition (CVD). Reaktor ini harus bertekanan rendah (sekitar 10-4 ton) agar didapat lapisan polysilikon yang merata. Pada penelitian ini pompa vakum yang digunakan jenis rotary vane. Sensor pengubah temperatur menjadi tegangan menggunakan sensor Pt 13% Rhodium. |