| Bagian yang paling kritis dari suatu divais Metal Oxide Semiconductor (MOS) terletak pada lapisan oksida gate, karena hampir semua karakteristik divais MOS tergantung pada sifat-sifat atau karakteristik oksida gate ini. Dalam proses pabrikasi divais MOS yang sangat kompleks, oksida gate digunakan sebagai alat untuk memonitor proses dan evaluasi paska pemrosesan. Sebagai alat untuk mempelajari sifat-sifat listrik sistem MOS digunakan dioda MOS. |