ANALISIS ATURAN PENSKALAAN PADA TRANSISTOR BIPOLAR BERBASIS SILIKON GERMANIUM  

Oleh:

Julian, Engelin Shintadewi

Jenis: Article from Proceeding
Dalam koleksi: Prosiding Seminar Nasional Teknologi Industri (SNTI) ke-IV: Inovasi Teknologi Ramah Lingkungan untuk Penguatan Daya Saing Industri di Jakarta, 4-5 Juni 2014 - Buku II, page 122: 1-4.
Topik: transistor bipolar; penskalaan; SiGe; silikon germanium
Fulltext: 122 1-4.pdf (219.5KB)

Isi artikel

Heterojunction bipolar transistor (HBT) merupakan suatu devais semikonduktor yang digunakan sebagai pengganti transistor bipolar homojunction atau bipolar junction transistor (BJT). HBT umumnya digunakan pada rangkaian yang bekerja pada kecepatan atau frekuensi tinggi. HBT Silikon Germanium (SiGe) atau Silikon Germanium Carbon (SiGeC) mempunyai basis yang terbuat dari bahan SiGe atau SiGeC, sedangkan emitor dan kolektornya terbuat dari bahan Si. Pada makalah ini disampaikan hasil pengujian aturan penskalaan (scaling rule) yang dikembangkan oleh Solomon dan Tang untuk BJT dengan data-data HBT SiGe dan SiGeC. Hasil pengujian memperlihatkan bahwa aturan penskalaan Solomon-Tang dapat memprediksi gate delay dengan baik pada HBT SiGe tetapi kurang sesuai digunakan untuk HBT SiGeC

Opini Anda

Klik untuk menuliskan opini Anda tentang koleksi ini!

Kembali